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本发明涉及一种TiAl合金表面阴极微弧等离子体电解沉积制备CeO2‑Al2O3复合陶瓷层的方法，对阴极微弧沉积预处理技术进行了改进，并首次根据PBR值理论，提出在Al2O3中掺杂引入低PBR值的CeO2，在TiAl合金表面制备均匀、致密、稳...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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