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一种相变存储器单元(1’)，包括：衬底(2)，容纳包括第一导电电极(4)的用于选择存储器单元(1’)的晶体管(15)；在选择晶体管(15)上的第一电绝缘层(10)；穿过电绝缘层(10)的第一导电通孔(11a)，被电耦合至第一导电电极(4)；...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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