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本发明涉及一种直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；以第一温度生长第一Ge层；以第二温度生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；对第二Ge层进行刻...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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