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一种低损耗耦合电容器的装置和方法制造方法及图纸
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文档序号:16935280
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一种低损耗耦合电容器结构,包括n型变容二极管(NVAR)构造(100)和p型变容二极管(PVAR)构造(200)。所述NVAR构造(100)中的结构包括掺杂p型半导体基板(Psub)(106)、所述Psub(106)中的深度掺杂n型半导体阱...
该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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