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源极线布局与磁隧道结(MTJ)存储器位单元中的存取晶体管接触布置的解耦以促进减小的接触电阻制造技术
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文档序号:16935076
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公开了磁隧道结(MTJ)存储器位单元,其将源极线布局与存取晶体管节点尺寸解耦,以促进减小的接触电阻。在一个示例中,提供了MTJ存储器位单元(500B),其包括源极板(508),该源极板设置在用于存取晶体管(512)的源极节点(S)的源极接触...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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