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本申请公开了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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