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本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构；在所述铜互连结构和所述低k介电层的表面沉积双嵌段共聚物材料层；对所述双嵌段共聚物材料层进行自组装处理，以形...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。