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本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS成膜方法,包含：第1步，在硅衬底上形成氧化膜层及硬掩膜层，图形化打开沟槽刻蚀窗口，刻蚀形成沟槽；沟槽倒角处理后淀积牺牲氧化层；第2步，淀积衬垫氧化层，然后淀积多晶硅并回刻，然后涂覆光刻胶，图案化定义后再对多...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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