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本发明涉及具有电容器的集成电路及其制造方法，所提供的是集成电路及其制造方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括附有主动层的衬底，该主动层上覆于埋置型绝缘体层，该埋置型绝缘体层进而上覆于握把层，其中，该主动层包括第一主动井。第一源极、第一漏...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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