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本发明涉及一种基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长弛豫SiC外延层；生长应变Si层；形成浅槽隔离；采用离子注入工艺形成N型阱区和P型阱区；在应变Si层表面连续生长栅介质层和栅极层，并利用...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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