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本发明公开了一种消除SONOS器件字线耦合影响读余量的电路，单元结构为2T结构，存储管的漏极接位线，选择管的栅极接第一字线；存储管的栅极接第二字线；同一行单元结构的第一和二字线平行且形成字线耦合电容；第二字线的通过放电管连接到地；读操作时，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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