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一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：回刻蚀去除PMOS区域的第一开口侧壁上第一厚度的P型功函数层以及N型功函数层；在所述第二开口的N型功函数层上形成盖帽层，所述盖帽层还位于回刻蚀后的第一开口内的N型功函数层上以及P型功...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。