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本发明涉及一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法,所述探测器包括硅衬底、位于硅衬底上的SiO2薄膜、位于SiO2薄膜上的石墨烯有效区以及天线;所述石墨烯有效区两端欧姆接触电极使用不同功函数不同热导率的金属材料。制备方法包括:1...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法,所述探测器包括硅衬底、位于硅衬底上的SiO2薄膜、位于SiO2薄膜上的石墨烯有效区以及天线;所述石墨烯有效区两端欧姆接触电极使用不同功函数不同热导率的金属材料。制备方法包括:1...