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本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多层交错堆叠的层间介电层和虚拟介电层，所述虚拟介电层形成于相邻的层间介电层之间，在所述层间介电层以及虚拟介电层中形成有沟槽，所...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。