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本发明涉及自我预充电的内存电路，其关于半导体结构，并且尤其关于用于内存的感测电路及使用方法。该内存包括自我参考感测放大器，其经结构化成利用自主预充电启动电路系统以基于一跳脱点而校准其个别预充电，该自主预充电启动电路系统只要已进行或完成感测，...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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