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一种N型AlGaN的生长方法，采用直流磁控反应溅射设备和MOCVD设备制备并依次包括以下步骤：在蓝宝石图形化凸型衬底上溅射AlN buffer层，生长带插入层的GaN梯形台面层，生长带插入层的GaN梯形合并层，生长平坦的GaN 2D生长层，...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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