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本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有集电极槽的超结逆导型IGBT。本发明相对与传统超结RC‑IGBT结构，主要在底部集电区引入集电极槽结构。新器件正向导通且未进入双极模式时，P型条会耗尽集电极槽底部的N漂移区，从而挤占电子电流路径...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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