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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有目标材料层；在目标材料层上形成通过开口相互隔离的若干个条状的核图案，以及在核图案的侧壁上形成间隙壁；形成覆盖述间隙壁、核图案和目标材料层的牺牲...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。