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本发明提供了一种用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的方法，包括：用第一催化气体和HF对所述氧化物进行第一气相蚀刻；用第二催化气体和HF对所述氧化物进行第二气相蚀刻。其中，所述第一催化气体是醇类气体，第二催化气体是氨气。进一步地，所述醇类气体包括甲...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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