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本发明公开一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜及其制备方法，方法包括步骤：选择纯度为99.99%的Ti靶材和纯度为99.99%的CoSb3靶材作为原料，将Ti靶材和CoSb3靶材分别置于溅射系统的工位靶材架上；将溅射系统本底真空度抽至8.0×10...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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