一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜及其制备方法技术
A Ti doped CoSb3 thermoelectric thin film and its preparation method
The invention discloses a Ti doped CoSb3 thermoelectric film and a preparation method thereof. The method comprises the following steps: as the raw material selection of 99.99% purity Ti target and CoSb3 target with purity of 99.99%, the station target Ti target and CoSb3 target were placed in the sputtering system; the sputtering system the base vacuum pumping to 8 x 10
【技术实现步骤摘要】
一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜及其制备方法
本专利技术涉及薄膜材料制备领域，尤其涉及一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜及其制备方法。
技术介绍
当今全球常规化能源的大量使用已经造成愈演愈烈的能源危机和气候变暖问题，迫切需要积极推进和提倡使用洁净的可再生能源。温差电池是适用范围很广的绿色环保型能源，其利用热电材料的热电效应将热能和电能直接相互耦合、相互转换，实现发电，具有无噪声、无有害物质排放、可靠性高、寿命长等一系列优点，其在余热废热发电和移动分散式热源利用等方面有难以取代的作用，但是基于热电材料本身的特性，其制造成本高，转换效率低，限制了温差发电机组的大规模使用。热电材料的性能主要由一个无量纲常量ZT表征，其中ZT=S2×σ×T÷k，其中S为塞贝克系数，σ为电导率，T为绝对温度（即材料所处的温度，不同温度条件下S，σ，K值都不相同），k为热导率。CoSb3是方钴矿材料之一，具有较高的电导率和较低的热导率，由于其热电性能高于目前投入市场中的半导体热电材料，且在温度较高时具有最优的性能，因此在中温热电发电方面具有广阔的应用前景，被认为是最具有前景的热电材料之一。目前国内...
【技术保护点】
一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、选择纯度为99.99%的Ti靶材和纯度为99.99%的CoSb3靶材作为原料，将Ti靶材和CoSb3靶材分别置于溅射系统的工位靶材架上；B、将溅射系统本底真空度抽至8.0×10
【技术特征摘要】
1.一种Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、选择纯度为99.99%的Ti靶材和纯度为99.99%的CoSb3靶材作为原料，将Ti靶材和CoSb3靶材分别置于溅射系统的工位靶材架上；B、将溅射系统本底真空度抽至8.0×10-4Pa，通入惰性气体，将所述溅射系统的压强控制在0.4Pa及以下；C、采用溅射沉积方法首先在基板上沉积Ti薄膜，然后在Ti薄膜上沉积CoSb3薄膜；D、将上述沉积好的薄膜进行热处理，所述热处理的温度为200℃~500℃，得到Ti掺杂CoSb3热电薄膜。2.根据权利要求1所述的Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B中，通入流量为40sccm以下的Ar气。3.根据权利要求1所述的Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤C中，所述基板为玻璃基板。4.根据权利要求1所述的Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤C中，沉积薄膜的速率为0.1Å~10Å。5.根据权利要求1所述的Ti掺杂CoSb3热电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤C中，所述Ti薄膜的厚度为1~100nm。6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑壮豪，范平，魏萌，罗景庭，李甫，梁广兴，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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