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一种光电器件，包括III‑V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具...
该专利属于IQE公司所有，仅供学习研究参考，未经过IQE公司授权不得商用。

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