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本发明提供了一种低导通电阻的PMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括自上而下依次设置的金属化源极、P型漂移区、P...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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