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本发明涉及一种场效应晶体管及其形成方法，在本发明提供的场效应晶体管的形成方法中，首先，形成了多层薄膜组成的侧墙，并利用所述侧墙自对准地形成深结源漏区，接着，部分去除所述侧墙以形成L形偏移侧墙，从而可利用所述L形偏移侧墙自对准地形成浅结源漏区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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