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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供由自下而上层叠的硅基体、掩埋氧化物层和硅层构成的绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构；使栅极结构中的栅极材料层和绝缘体上硅衬底的硅层中...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。