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光刻制造系统产生具有小于10nm的特征尺寸和周期性方向(D)的周期性结构。具有在EUV光谱中的一定范围的波长(1nm至100nm或1nm至150nm)的辐射的射束(1904)被聚焦成大约(5)μm直径的光斑(S)。反射辐射(1908)被分解...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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