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本发明提供了一种具有保护环的超结MOSFET器件，属于功率器件技术领域。本发明器件的有源区中具有至少一个由元胞阵列和环绕于元胞阵列外围的保护环构成的组合单元；任意一个元胞的结构自下而上包括金属化漏极、衬底、外延区、柱区和体区一、栅极以及金属...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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