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本发明公开了一种低损伤介质栅及其制备方法，涉及半导体高频功率器件和高压器件技术领域；包括从下到上依次为衬底、沟道层、势垒层和钝化层，源金属和漏金属位于器件两侧，栅金属位于源金属和漏金属之间，首先干法刻蚀钝化层直至势垒层，然后在刻蚀位置淀积栅...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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