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本发明公开了硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，所述硼砂腐蚀的单晶硅表面增强拉曼基底是在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。其制备方法包括：（1）使用标准的清洗方法对反应前后的单晶硅表面进行...
该专利属于云南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南师范大学授权不得商用。

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