硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法技术

本发明专利技术公开了硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，所述硼砂腐蚀的单晶硅表面增强拉曼基底是在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。其制备方法包括：（1）使用标准的清洗方法对反应前后的单晶硅表面进行清洗；（2）利用碱溶液对单晶硅表面的各向异性腐蚀性制备微结构；（3）使用108auto真空镀膜仪在制备好的单晶硅表面微结构上镀上厚度适宜的纳米金薄膜，并使用QE65 pro便携式拉曼光谱仪对单晶硅表面增强拉曼基底的增强性能进行测试。本发明专利技术的单晶硅表面增强拉曼基底具有良好的拉曼活性，对亚甲基蓝乙醇溶液的检测极限达到1×10

Method of making surface enhanced Raman substrate by borax corrosion monocrystalline silicon

The invention discloses a production method of borax corrosion surface enhanced Raman substrate of monocrystalline silicon, monocrystalline silicon surface of the borax corrosion enhanced Raman substrate is made on the surface of monocrystalline silicon prepared by micro structure suitable for the production of substrates, a layer of nano Au thin film silicon surface micro structure. The preparation method comprises the following steps: (1) cleaning cleaning using standard methods of reaction and the silicon surface; (2) using alkali solution of anisotropic etching of the silicon crystal surface by micro structure; (3) nano gold films prepared on the silicon surface micro structure plated on the appropriate thickness using 108auto vacuum coating apparatus, and use the QE65 Pro portable Raman spectrometer on the silicon surface enhanced Raman enhanced performance test. The monocrystalline silicon surface enhanced Raman base of the invention has good Raman activity, and the detection limit of methylene blue ethanol solution reaches 1 * 10.

【技术实现步骤摘要】
硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法
本专利技术涉及硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法。
技术介绍
随着科学技术的不断进步，SERS基底已逐渐实现商业化，为研究生命科学和分析化学提供了新的解决方案。主要有英国RenishawDiagnostics公司生产的Klarite芯片、NIDEK公司生产的Wavelet，以及我国台湾Unice公司的T-SERS芯片等。商业化的SERS基底与实验室制备的基底对比主要优点在于基底重复性高、稳定性好、能够即时得到检测结果。虽然SERS基底已经逐步实现了商业化，目前使用常规的拉曼基底（贵金属溶胶），存在容易团聚等不可控的缺点，而且商业化的SERS基底价格比较昂贵，不利于SERS技术的大规模应用。因此急需开发一种高稳定性，高重复性、增强性能优异、价格低廉的SERS基底。
技术实现思路
针对以上的不足，本专利技术利用碱溶液对单晶硅表面的各向异性腐蚀性，在单晶硅表面制备出尺寸均匀、覆盖面广、形貌可控的单晶硅绒面，以求达到制备SERS活性基底的要求。在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。使用108auto真空镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。

【技术特征摘要】
1.硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。2.根据权利要求1所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，所述单晶硅表面金字塔尺寸金字塔表面覆盖率接近99.0%，且均匀性高，平均尺寸为3.54μm，所述金薄膜的厚度为在电流为20mA，镀膜时间为5.5min。3.权利要求1或2所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，包括以下步骤：（1）使用标准的清洗方法对反应前后的单晶硅表面进行清洗；（2）利用碱溶液对单晶硅表面的各向异性腐蚀性制备微结构，所述碱溶液为NaOH和硼砂（Na2B4O7·10H2O）混合溶液；（3）使用108auto真空镀膜仪在已经制备好的单晶硅表面微结构上镀上厚度适宜的纳米金薄膜，并使用QE65pro便携式拉曼光谱仪对单晶硅表面增强拉曼基底的增强性能进行测试。4.根据权利要求3所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，步骤（1）包括：制备微结构前将单晶硅片切成1.5cm×1.5cm的小样品，将小样品在酒精溶液和超纯水中依次超声清洗5min，清洗完毕后立即放入洗净并烘干的培养皿中，将装有...

【专利技术属性】
技术研发人员：满石清，陈金宝，
申请(专利权)人：云南师范大学，
类型：发明
国别省市：云南,53