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本发明提供一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法。本发明中的氮化铝陶瓷是以高纯氮化铝粉体为原料,采用透辉石粉体和氟化钇粉体为烧结助剂,烧结助剂的加入量为5wt%‑15wt%,采用低温无压烧结方式形成氮化铝陶瓷,所得的氮化铝陶瓷热导率大于200...该专利属于河北高富氮化硅材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过河北高富氮化硅材料有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法。本发明中的氮化铝陶瓷是以高纯氮化铝粉体为原料,采用透辉石粉体和氟化钇粉体为烧结助剂,烧结助剂的加入量为5wt%‑15wt%,采用低温无压烧结方式形成氮化铝陶瓷,所得的氮化铝陶瓷热导率大于200...