温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种硅纳米孔结构及其制作方法。包括：一绝缘衬底上的硅片作为基板；在基体两侧表面沉积 SiN 纳米薄膜，将基体一侧的 SiN 刻蚀形成硅表面；同时刻蚀 SiN 纳米薄膜形成基体释放窗口；将金属纳米颗粒均匀分散在硅表面；在金属纳米颗粒...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。