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本发明公开了平面双栅氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其器件结构自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、电解质栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；栅电极层由两个栅电极组成，两个栅电极相对设置于过...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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