下载一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法的技术资料

文档序号:16647042

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本发明公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法,该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层,GaN缓冲层,n型重掺杂GaN层,n型GaN层,p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层...
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