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一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括NMOS区域的基底，所述基底上形成有层间介质层，且所述NMOS区域的层间介质层内形成有贯穿层间介质层厚度的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成第一阻挡层；在所述...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。