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本发明提供一种不进行p型杂质的离子注入，便抑制电场集中在沟槽底面的外周附近的技术。是具有沟槽栅结构的半导体装置的制造方法,其中，在n型半导体区域形成工序中，在位于n型半导体区域的下方的n型半导体层的至少一部分，形成p型半导体层所包含的p型杂...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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