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本发明涉及一种反Ⅰ型核/壳结构CdZnS/CdSe量子点制备方法，采用将不同带隙的半导体材料CdZnS和CdSe量子点通过连续离子层吸附的方法组合在一起，形成以CdZnS为核材料，以CdSe为壳层材料的核/壳结构量子点。本发明制备的CdZn...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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