一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种反Ⅰ型核/壳结构CdZnS/CdSe量子点制备方法，采用将不同带隙的半导体材料CdZnS和CdSe量子点通过连续离子层吸附的方法组合在一起，形成以CdZnS为核材料，以CdSe为壳层材料的核/壳结构量子点。本发明专利技术制备的CdZnS/CdSe量子点可以通过连续的包覆不同厚度、不同层数的CdSe壳层，得到连续可调谐的宽光谱范围，具有单色性好、单分散性好以及发光光谱对称等特点，尤其具备相同尺寸下单独CdZnS和CdSe量子点所不具备的光学特性；另外不同厚度的CdSe壳层决定整个核壳结构电子空穴的分布状态，可以灵活运用这一特性制备各种不同应用性质的材料。

A method for preparation of inverse type I CdZnS/CdSe core / shell structure quantum dots

The invention relates to an anti type CdZnS/CdSe core / shell quantum dots preparation method, using different bandgap semiconductor materials CdZnS and CdSe quantum point combination method of successive ionic layer adsorption together, formed with CdZnS as core material, with CdSe as the shell material of core-shell structure quantum dots. CdZnS/CdSe quantum dots prepared by the invention can be through continuous coating with different thickness and different layers of CdSe shell, wide tunable spectral range, has the characteristics of good monochromaticity, good monodispersity and luminescence spectra of symmetry, especially with the optical properties of the same size separate CdZnS and CdSe quantum dots do not have the different thickness of the CdSe shell; determining the distribution state of the whole nuclear shell structure of electron hole, flexibility in the use of this feature for different application properties.

【技术实现步骤摘要】
一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法
本专利技术涉及纳米晶材料的制备及应用，针对一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法以及LED发光显示器件。
技术介绍
纳米级结构材料简称纳米材料，是指结构单元的尺寸介于1纳米～100纳米范围之间。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织是的性质发生很大的变化。并且，其尺度已经接近光的波长，加上其具有大表面的特殊效应，因此其所表现的特性，如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质的整体状态是所表现的性质。本专利技术是利用了纳米材料的光学以及导电特性。量子点又称半导体纳米晶体，受到光或电的刺激，能发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成和尺寸大小决定。量子点是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒。粒径一般介于1-10nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。基于量子效应，量子点太阳能电池、发光器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。目前可以通过很多不同的方法来制造量子点，预期这种材料在二十一世纪的纳米电子学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法，其特征在于方法步骤包括：（1）首先通过高温热注入法，然后保温合成CdZnS量子点；（2）将所述步骤（1）得到的CdZnS量子点与相应配位溶剂混合作为主反应，随后分别注入、滴加阴阳离子保温得到CdZnS/CdSe核壳结构量子点。

【技术特征摘要】
1.一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法，其特征在于方法步骤包括：（1）首先通过高温热注入法，然后保温合成CdZnS量子点；（2）将所述步骤（1）得到的CdZnS量子点与相应配位溶剂混合作为主反应，随后分别注入、滴加阴阳离子保温得到CdZnS/CdSe核壳结构量子点。2.根据权利要求1所述的一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中Zn元素是过量的，Zn与Cd的摩尔比为10:1。3.根据权利要求1所述的一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中分别注入、滴加阴阳离子的顺序是先注入阴离子，保温20分钟之后，再滴加阳离子。4.根据权利要求1所述的一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中制备的CdZnS量子点需要进行纯化得到CdZnS粉末，纯化过程包括：将所述合成的CdZnS量子点原液与正己烷混合，多次离心取上清液，去除多余的Zn元素，随后将上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李清华，白锦科，金肖，李海洋，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西,36