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本发明提供的一种检测低压阱区和高压阱区混接的方法，包括：获取电路版图，所述电路版图具有低压阱区和高压阱区；判断所述低压阱区中是否具有器件；当所述低压阱区内无器件时，检测所述低压阱区上的金属互连线与所述高压阱区上的金属互连线之间是否存在电性连...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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