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本发明提供一种LDMOS器件，属于功率器件技术领域。本发明LDMOS器件的元胞结构包括：衬底，位于衬底两端的第一有源区和第二有源区以及位于两个有源区之间的表面耐压区；所述第一有源区与表面耐压区相靠近侧形成第一导电类型的MOSFET，所述第二...
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