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本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP‑外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO2薄膜；S2、通过光刻工艺，将掩膜版上的待蚀刻图形复制在光刻胶上；S3、...
该专利属于武汉光谷量子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷量子技术有限公司授权不得商用。

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