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本实用新型公开了一种超结MOSFET结构，它包括N型重掺杂衬底及N型轻掺杂外延层；且N型轻掺杂外延层包括元胞区及终端区；在元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱，元胞区P柱的顶端均连接有P型...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。

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