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一种半导体测试结构及其形成方法以及测试方法，半导体测试结构包括：衬底，所述衬底内具有阱区；位于所述衬底内的阱区上的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列中的各栅极结构一侧的阱区内具有源区，所述栅极结构阵列中的各栅极结构另一侧的阱区内具有漏区；若干层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。