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本发明提供一种III族氮化物薄膜的剥离转移方法，包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括硅衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底；S2：在所述顶层硅表面依次形成III族氮化物薄膜及绝缘帽层；S3：进行离子注入，在所述顶层硅中形成离子注入层；S...
该专利属于上海芯晨科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯晨科技有限公司授权不得商用。

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