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本发明提出了无结型隧穿场效应晶体管及制备方法。该无结型隧穿场效应晶体管包括：绝缘层；沟道区，所述沟道区设置在所述绝缘层上；源极和漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述沟道区的两侧；栅介质层，所述栅介质层设置在所述沟道区上；栅极，所述栅极设置在...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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