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本发明涉及多个背栅极晶体管。本发明是关于半导体结构，尤指多个背栅极晶体管结构以及制造方法。该结构包括：晶体管，形成于半导体材料及下方基板上方；以及多个隔离接触区，位于该晶体管的本体或通道下方，构造成在不同位置向该晶体管的该本体提供局部电位。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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