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一种鳍式场效应晶体管栅极结构的形成方法技术
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文档序号:16548842
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本发明提出一种鳍式场效应晶体管栅极结构的形成方法,包括下列步骤:形成STI结构后进行阱离子注入;在所述结构上沉积介电层材料;对所述介电层材料进行化学机械研磨处理后进行回刻并形成子介电层;在所述结构上沉积栅极介质层和多晶硅层;对所述结构进行化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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