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本发明提供了一种半导体工艺及半导体结构，先由半导体衬底的正面进行半切割后，再在其正面设置保护膜，然后在从半导体衬底衬底的背面进行减薄处理，来分离各个半导体单元结构，从而可以既能减小切割深度，以减少切割刀具的过渡使用，还能在分离各个半导体单元...
该专利属于矽力杰半导体技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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