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中国科学院微电子研究所
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一种数字移相器制造技术
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文档序号:16531491
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本发明公开一种数字移相器,包括数字移相电路和GaN基;其中,数字移相电路位于GaN基上,数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路,该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)作为开关器件。本发...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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