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本发明描述了定向自组装(DSA)材料或二嵌段共聚物，其可能基于一次光刻操作来对最终限定垂直纳米线晶体管的沟道区和栅极电极的特征进行图案化。在实施例中，DSA材料被约束在使用常规光刻技术进行图案化的引导开口内。在实施例中，沟道区和栅极电极材料...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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